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美国阿贡实验室:氧化镁适用于硫化物固态电解质候选保护涂层

美国阿贡实验室:氧化镁适用于硫化物固态电解质候选保护涂层

据外媒报道,在一项最新研究中,美国能源部(DOE)阿贡国家实验室(Argonne National Laboratory)的科学家将计算模拟与实验研究相结合,筛选出了适用于硫化物固态电解质的候选保护涂层,并揭示了这些涂层发挥作用的关键机制。该研究成果发表于期刊《Advanced Science》。结果表明,氧化镁(MgO)是一种极具潜力的新型保护涂层,同时也建立了一种更快速筛选其他候选材料的方法。为解决这一问题,研究团队选取了一种名为锂磷硫氯(Lithium Phosphorus Sulfur Chloride,LPSCl)的硫化物固态电解质作为研究对象。他们利用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)的计算方法,对一系列采用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)工艺制备的氧化物涂层进行了筛选。ALD是一种能够以接近原子级精度沉积超薄且均匀薄膜的制造技术。研究人员预测了这些涂层在电池三个关键界面上的行为,包括:涂层与电解质之间的界面、涂层与锂金属之间的界面,以及涂层与正极材料之间的界面。



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